自動正反雙面對準曝光機與半自動曝光機有什麼差異？
本頁案例偏向自動正反雙面對準曝光與較高自動化流程；product-05.html 半自動曝光機則偏向半自動 mask aligner 與 8 吋 / 12 吋晶圓對準曝光案例。實際設備配置需依製程需求評估。
Double-sided Alignment Exposure Case
案例摘要
本案例為自動正反雙面對準曝光機，適合呈現豪捷在半導體曝光設備、自動化對位、精密平台、視覺定位與整機流程整合上的能力。
既有頁面已公開此案例應用於 semiconductor industry，並列出 Exposure accuracy：0.1μm、Wafer size：2”、4”、6” 與 Yield：120-150 UPH；這些內容僅作為本案例公開資訊，不延伸為所有曝光設備固定規格或新專案保證值，實際規格依專案條件評估。
應用場景：半導體製程中的自動正反雙面對準曝光
自動正反雙面對準曝光設備的難點不只在曝光機構，也包含正反面對位基準、mark 條件、mask / wafer 尺寸、平台定位、視覺辨識、上下料流程、節拍與驗收方式。
此案例可銜接 自動正反雙面對準曝光機、半導體自動化設備 與 高精度客製化自動化設備。
雙面對位曝光常見製程問題
正反面對位基準與 mark 條件
mark 點位置、成像條件與正反面基準需在規格階段定義，才能建立可驗收的對位流程。
wafer / mask 尺寸與曝光面方向
2 吋 / 4 吋 / 6 吋為既有公開案例資訊，其他尺寸、載具或不同工件需另行評估。
精度、UPH、上下料與驗收方法需要一起定義
曝光精度與 UPH 不能脫離測試條件、上下料方式、對位時間與量測方法單獨承諾。
豪捷可協助的工程方向
視覺對位與高精度定位平台整合
可依需求評估視覺對位、平台配置與 奈米精度對位定位平台整合方式。
mask aligner、top side / bottom side / double side 流程評估
對位方向與曝光面流程需依製程需求、mask 配置與設備版本評估。
上下料、控制流程、安全防護與 FAT / SAT 規劃
自動化程度、設備介面、操作安全與驗收文件需在導入前確認。
既有公開資訊與選型條件
以下為原頁已公開資訊，僅作本案例背景摘錄；實際規格依專案條件、測試方法與驗收方式評估。
- Product application：Semiconductor industry。
- Exposure accuracy：0.1μm。
- Wafer size：2”, 4”, 6”。
- Yield：120-150 UPH。
- Automated Alignment with Exposure System (BSV/TSV Double Sides) 為既有公開英文標示，僅作案例背景。
導入前需確認資料
| 確認項目 | 需提供內容 | 評估目的 |
|---|---|---|
| wafer / mask 條件 | 尺寸、厚度、mask 配置、mark 點位置與狀態 | 確認對位方式與曝光設備架構 |
| 曝光面方向 | top side、bottom side、double side、正反面對準需求 | 判斷雙面對位流程與機構配置 |
| 精度與量測 | 對位精度、曝光精度、量測方法、樣品判定標準 | 建立可驗收的規格基準 |
| 自動化與節拍 | 上下料方式、UPH 目標、換線需求、操作流程 | 評估自動化程度與設備流程 |
| 驗收與環境 | FAT / SAT、測試樣品、現場空間、安全防護、潔淨度需求 | 降低導入與現場驗收風險 |
正在評估雙面對位曝光或自動曝光設備？
請提供 wafer / mask 尺寸、mark 條件、曝光面方向、精度需求、UPH 目標與上下料方式，豪捷可協助初步評估設備架構。
驗收與溝通重點
- Exposure accuracy、wafer size 與 UPH 為既有公開案例資訊，需依專案測試條件確認。
- 正反面 mark 條件、曝光面方向、量測方法與樣品判定標準需先定義。
- 可參考 自動化設備驗收標準 與 半導體自動化設備常見需求 整理資料。
限制條件與需另外評估情境
若 wafer / mask 條件、mark 點、曝光波長、曝光能量、曝光面積、對位方法、UPH 定義、量測方式或現場環境尚未明確，需先完成條件盤點。若需求超出既有公開 2 吋 / 4 吋 / 6 吋案例資訊，或需特殊材料、特殊曝光條件、特定潔淨度、inline 連線、MES/API、RF 或其他特殊規範，需另外評估。
常見問題
既有頁面提到 Exposure accuracy：0.1μm，是否代表所有專案都能達到？
這是本案例既有頁面已公開資訊，實際專案仍需依 wafer / mask 條件、mark 狀態、平台配置、環境與量測方法確認。
這個案例是否支援 2 吋、4 吋與 6 吋晶圓？
既有頁面已公開 Wafer size：2”、4”、6”。其他尺寸、載具或不同工件需另外評估。
Yield：120-150 UPH 可以直接作為新專案產能保證嗎？
不建議直接視為所有專案保證值。這是既有案例公開資訊，實際 UPH 需依曝光流程、上下料方式、對位時間、測試條件與驗收方法確認。
詢價前需要提供哪些資料？
建議提供 wafer / mask 尺寸、mark 條件、曝光面方向、精度需求、UPH 目標、上下料方式、現場空間、安全需求與 FAT / SAT 驗收方式。
是否可整合視覺對位、平台、上下料或資料系統？
可依需求評估相關整合，但需先確認影像條件、平台規格、設備介面、資料欄位、節拍與驗收方法。
聯絡豪捷討論自動正反雙面對準曝光機
提供 wafer、mask、mark 點、曝光流程、精度與驗收方式，豪捷可協助評估雙面對位曝光設備與半導體自動化整合方向。